电来源于日常工作常用的一些基础电，原理是新手或菜鸟比较容易疑惑的基础概念，经验是自己日常调试中积累的一点所得。希望对新手有所帮助。
在小功率输出设计中，一般很少用到整流桥的并联，但在某些大功率输出的情况下，不想增添新的器件而单个整流桥电流又不满足输入功率要求，就需要用到整流桥的并联了，整流桥的并联不能采用两个整流桥各自整流后直流并联的方式，也就是不能采用图1的方式，因为整流桥没有配对，单纯靠自身的V-I特性，一般是无法均流的，这样就会造成两个整流桥发热不一致。而采用图2的方式，通常认为在一个封装内的两个二极管是一模一样，是可以实现均分电流的效果，所以采用图2的方式就可以实现整流桥的并联了。
在驱动电设计中，经常会提到MOS管需要浮地驱动，那么什么是浮地驱动呢？简单的说就是MOS管的S极与控制IC的地需要隔离，也就是说不是共地的（直接相连会导致发热等）。以我们常用的BUCK电为例，如下图：控制IC的地一般是与输入电源的地共地的，而MOS管的S极与输入电源的地之间还有一个二极管，所以控制IC的驱动信号不能直接接到MOS管的栅极，而需要额外的驱动电或驱动IC，比如变压器隔离驱动或类似IR2110这样的带自举电的驱动芯片。当然还有另外的方式，那就是采用别的方式给控制IC供电，然后将控制IC的地连接到MOS管的S端，这样就不是浮地了，控制IC的输出就可以直接驱动MOS管。
在下图中，1M电阻就起到滞环的作用，如果没有1M电阻，很明显，VF电压达到2.5V运放输出低电平，低于2.5V，运放输出高电平。增加1M电阻后，在运放输出低电平时，6脚电平为0.7+（2.5-0.7）*1000/1010=2.48V。当VF低于6脚电平后，7脚输出高电平（如果运放供电15V，7脚输出可按照14V计算）可以计算此时6脚电平为2.5+（14-2.5）*10/1010=2.61V，如果这是一个输入欠压电，且VF为100：1的取样，则当输入电压高于261V，电正常工作，当电压低于248V才会欠压，这样就增强了电的抗干扰能力。
设计电源中，无论是恒压源还是恒流源，只要是闭环控制，总少不了误差放大器，在进入闭环之前，误差放大器输出电压为最高值，正常来说，误差放大器供电一般在15V左右，则误差放大器的输出在开环的时候为14V左右，随着输入信号的增加，达到稳压（稳流）点后，误差放大器从最高点开始降低直到闭环需要的值，在误差放大器输出降低过程中，时间越长自然输出超调量越大的电越不容易进入稳定。增加一个二极管+稳压管后，可以在一定程度上改善这个问题，如下图所示，如果稳压管是5V的，那么在开环的时候，误差放大器输出被钳位在6V左右，这样当进入闭环的时候，误差放大器输出就不是从14V开始下降而是从6V左右，降低到闭环需要的电压值自然需要的时间就短，电就越容易进入稳定。
在设计电中，带有限流功能的恒压源及带有限压功能的恒流源相信大家都不陌生，很多网友在设计电的时候，有时候会采用下图所示电，一个稳压环一个稳流环，逐渐增加负载，稳流环输出低电平进入限流，当负载减小退出限流的时候，稳压环需要一个切换时间，那么就出现了两环都不工作的一个空白区，在这时间内，电相当于开环，对系统来说，这是不利的。 但如果第二个电，就不存在这样的问题，限流的时候，稳流环拉低稳压环的基准，在这个过程中，两个环都在工作，即使在限流过程中，突然断开负载，由于稳压环一直在工作，所以在很短时间内电就会进入稳定。而不会出现上述环的空白区。
下面这个图，如果没有R及L，就是一个很普通的反激电输出整流的两个绕组，在这里，R为变压器及布线部分的直流，L为变压器绕组的漏感，N1N2就是理想的变压器绕组了。对于理想的变压器绕组，绕组电压正比于匝比，也即是如果5匝绕组输出5V，那么10匝绕组输出就是10V。如果第一个绕组是稳压5V输出的，在空载情况下，绕组基本没有电流，R1、L1上压降可以不考虑，二极管压降为电流是零时候的压降值。这个时候N1绕组电压可以认为是输出电压5V+二极管压降0.7V。那么10匝绕组的电压就是2*（5+0.7）=11.4V，绕组空载的时候，输出电压为10.7V，随着第二个绕组带载电流增大，电阻R2及L2上压降增加，二极管V2压降也增加，那么C2上电压逐渐开始降低，这个电压的变化为N2绕组的负载调整率，而不是交叉调整率。在辅绕组负载不变的情况下，如果主绕组带载变化，随着电流的增加，R1、L1及V1的压降都会增加，从而引起N1绕组电压的增加（因为要C1上电压不变）。假设主绕组带载后N1绕组电压由原来的5.7V变成了6V.那么N2绕组的电压将变成12V，输出电容C2上的电压就会变成11.3V，这个由于主绕组带载而引起的辅绕组电压由10.7V变成了11.3V的情况，就是交叉调整率。
值得一看的电及电设计经验技巧 电及电设计经验技巧大合集，全部是文档文件，来看看有没有你需要的....
TLV40x1器件是低功耗，高精度比较器，内部1.2 V或0.2 V基准电压源，延迟为450 ns。这些比较器采用尺寸为0.73 mm×0.73 mm的超小型DSBGA封装，使得TLV40x1适用于对空间要求苛刻的设计，如便携式或电池供电的电子设备，需要低功耗和快速响应工作条件的变化。 工厂调整的开关阈值和内部迟滞相结合，使TLV40x1适用于在恶劣，嘈杂的中进行精确的电压和电流监测，因为必须将移动的输入信号转换为干净的数字输出。类似地，输入的短暂毛刺被，从而确保稳定的输出操作而不会出现误触发。 TLV40x1有多种配置，允许系统设计人员实现所需的输出响应和性能。例如，TLV4021具有开漏输出级，而TLV4041具有推挽输出级。此外，TLV4021 /TLV4041提供非反相输入。 特性 宽电源电压范围：1.6 V至5.5 V 0.2V，1.2V 的内部基准电压高阈值精度 1％过温 低静态电流：2.5μA 延迟：450 ns
推挽和漏极开输出选项 内部迟滞：20 mV 温度范围：-40°C至+ 125°C 包装： 0.73 mm×0.73 mm DSBGA（4-Bump） 所有商标均为他们各自的主人。 参数 与其它产品相比 比较器 Number of channels (#) Ou...
TLV1805高压比较器提供宽电源范围，推挽输出，轨到轨输入，低静态电流，关断能力和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要在正或负电压轨上进行检测的应用，例如智能二极管控制器的逆流，过流检测和过压电，其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级，是高压比较器的独特之处，具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET栅极需要快速驱动高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中特别有价值。低输入失调电压，低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805足够灵活，可以处理国外的应用。上电复位可防止上电时的错误输出。 TLV1805采用6引脚SOT-23封装，工作温度范围为-40°C至+ 125°的扩展工业温度范围C。 特性 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流：135μA 高峰电流推挽输出 具有相位反转的轨到轨输入 内置迟滞：14mV 250ns延迟
所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 比较器 Number of channels (#) Out...
TLV1704-SEP 采用增强型航天塑料的 2.2V 至 36V 耐辐射微功耗四比较器
TLV1704-SEP（四）器件提供宽电源范围，轨到轨输入，低静态电流和低延迟。所有这些功能都采用行业标准，极小的封装，使这些器件成为可用的最佳通用比较器。 集电极开输出提供的优势是可以将输出拉至任意电压轨至无论TLV1704-SEP电源电压如何，均高于负电源36 V. 该器件是microPower比较器。低输入失调电压，低输入偏置电流，低电源电流和集电极开配置使TLV1704-SEP器件足够灵活，可以处理几乎任何应用，从简单的电压检测到驱动单个继电器。 特性 VID V62 /18613 抗辐射 单事件闩锁（SEL）免疫43兆电子伏厘米 2 /MGAT 125°C ELDRS免至30拉德（Si）的 TotalIonizing剂量（TID）RLAT为每个晶圆地段向上到20krad（Si）的 空间增强塑料 所控制的基线 金线 镍钯金LeadFinish
一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用（-55°C至125°C）温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 电源电压范围：2.2 V至36 V或±1.1 V至±18 V 低静态电流：每个比较55μA 输入共模范围包括两个轨 低延迟：560 ns 低输入失调电压...
TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围，推挽输出，轨到轨输入，低静态电流，关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用，如智能二极管控制器的反向电流，过流检测和过压电，其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处，它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压，低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活，可以处理几乎任何应用，从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准，采用6引脚SOT-23封装，额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果： DeviceTemperature 1级：-40°C至+ 125°C温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流：每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转 推 - 拉输出 250ns延迟 低输入失...
请问电子小二课堂的555循环定时电我做好只能调节绿灯时间，一旦到红灯就一直红灯切换不回去是为什么，是电容的问题吗？ ...
1．使用框图本技巧似乎显而易见，但往往被过分自信的人忽视，他们认为自己已经把要做的活都弄明白了。完全按照你的需要表述电的...
运放的供电方式分双电源供电与单电源供电两种。对于双电源供电运放，其输出可在零电压两侧变化，在差动输入....
原理图PCB绘制是硬件工程师、PCB工程师、单片机工程师等相关岗位必须具备的技能。本套视频会以初学者为中心，注
反激式拓扑 反激式转换器是最常用的 SMPS 电（图 1）。 图 1：使用单个 MOSFET 开关和反激式变压器的反激式转...
单片机是无功补偿装置的控制器，单片机控制系统由放大电、比较器、衡数转换器等组件构成，通常由八个容量....
请教各位都是怎么铺铜的。我目前都是在各个层铺一个完整的地平面，然后在进行扣铜。 问题：1、先铺完整的铜皮在扣铜，这样好不好...
一直对初级带中心抽头变压器的几个引脚之间的电压相位不清楚，求大神们解惑。 如图，一个带中心抽头的变压器，那么它的U1对U2...
运算放大器组成的电五花八门，令人眼花瞭乱，是模拟电中学习的重点。在分析它的工作原理时倘没有抓住核....
通常情况，电源的输入和输出端的电信号是不稳定的，直接给负载供电，长期会给负载造成损伤，也会其使工作不....
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印制电板的设计是以电原理图为根据，实现电设计者所需要的功能。印刷电板的设计主要指版图设计，需....
开关电源1是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电....
随着LED技术的发展， 大功率LED在灯光装饰和照明等领域得到了普遍的使用， 同时功率型LED驱动芯....
我们知道一个物体，对于不同颜色的光吸收效果不同，同样反射效果也不同，比如红色的物体，对色的光反射....
在数字技术中采用二进制，因此凡元件具有的两个稳定状态都可用来表示二进制，（例如“高电平”和“低电平”....
这是比较器A的逻辑图，比价器A由4个部分组成 标号1：内部参考电压发生器，可以产生0.25V，....
单片机是嵌入式系统的核心元件，使用单片机的电要复杂得多，但在更改和添加新功能时，带有单片机的电更....
在非常温的工作下，RTC时钟出现偶发性的延时或者超时现象，成熟的RTC电设计看似简单，但如何保....
概述运算放大器和比较器无论外观或图纸符号都差不多，那么它们究竟有什么区别，在实际应用中如何区分？今天....
非晶纳米晶合金磁芯是一种均匀分布气隙的金属软磁材料。由于具有相对较高的饱和磁通密度，较好的温度稳定性....
传统的RTC 电是采用反相器对晶振产生的波形做整形，所用起振时间需要几个ms ,如果用过多的反相器....
实际上，基本电理论告诉我们，信号是由电流的，明确的说，是电子的运动，电子流的特性之一就是电 子....
本文档的主要内容详细介绍的是常用比较器单（双）限比较器和迟滞比较器的电以及仿真结果资料免费下载，方....
TLV7011和TLV7021是单通道微功耗比较器，采用低工作电压，具有轨至轨输入功能。这些比较器采用0.8mm×0.8毫米超小型无引线封装，适用于空间紧凑型设计，例如智能手机和其他便携式或电池供电应用。 TLV7011和TLV7021提供出色的速度功率综合性能，其延迟为260ns，静态电源电流为5μA。得益于这种微功率下快速响应时间的综合性能，功率型系统能够监测故障状况并快速做出响应。这些比较器的工作电压范围为1.6V至5.5V，因此可与3V和5V系统兼容。 此外，这些比较器在发生过驱动输入和内部迟滞时，不会产生输出相位反转。这些特性该系列的比较器非常适合在恶劣嘈杂中进行精密电压监测，其中缓慢输入信号必须转换为无噪声数字输出。 TLV7011具有推挽式输出级，能够灌/拉毫安级电流，同时可LED进行控制或驱动电容性负载.TLV7021具有可上拉到V CC 之上的漏极开输出级，该特性使其适用于电平转换器和双极至单端转换器。 特性 超小型X2SON封装（0.8mm×0.8mm×0.4mm） 1.6V至5.5V的宽电源电压范围 5μA静态电源电流 260ns低延迟 轨至轨共模输入电压 内部迟滞（4mV） 推挽和开漏输出选项 过驱动输入无相位反...
TLV7011和TLV7021是单通道微功耗比较器，采用低工作电压，具有轨至轨输入功能。这些比较器采用0.8mm×0.8 mm超小型无引线封装，适用于空间紧凑型设计，例如智能手机及其他便携式或电池供电应用。 TLV7011和TLV7021提供出色的速度功率综合性能，其延迟为260ns，静态电源电流为5μA。得益于这种微功率下快速响应时间的综合性能，功率型系统能够监测故障状况并快速做出响应。这些比较器的工作电压范围为1.6V至5.5V，因此可与3V和5V系统兼容。 此外，这些比较器在发生过驱动输入和内部迟滞时，不会产生输出相位反转。这些特性该系列的比较器非常适合在恶劣嘈杂中进行精密电压监测，其中缓慢输入信号必须转换为无噪声数字输出。 TLV7011具有推挽式输出级，能够灌/拉毫安级电流，同时可LED进行控制或驱动电容性负载.TLV7021具有可上拉到V CC 之上的漏极开输出级，该特性使其适用于电平转换器和双极至单端转换器。 特性 超小型X2SON封装（0.8mm×0.8mm×0.4mm） 1.6V至5.5V的宽电源电压范围 5μA静态电源电流 260ns低延迟 轨至轨共模输入电压 内部迟滞（4mV） 推挽和开漏输出选项 过驱动输入无相位反转...
TLV1701-Q1（单通道），TLV1702-Q1（双通道）和TLV1704-Q1（四通道）器件提供宽电源范围，轨到轨输入，低静态电流和低延迟。所有这些功能都采用行业标准，极小的封装，使这些器件成为最好的通用比较器。 集电极开输出提供的优势是可以将输出拉至最高达36的任何电压轨。无论TLV170x-Q1电源电压如何，V都高于负电源。 该器件是microPower比较器。低输入失调电压，低输入偏置电流，低电源电流和集电极开配置使TLV170x-Q1器件具有足够的灵活性，可以处理几乎任何应用，从简单的电压检测到驱动单个继电器。 该器件的额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围。 特性 符合汽车应用要求 AEC Q100-符合以下结果 设备温度等级1 ：-40°C到+ 125°COperatingTemperature 设备HBM ESD类别等级3A（TLV1701-Q1） DeviceHBM ESD类别等级1C（TLV1702-Q1，TLV1704-Q1 ） 器件CDM ESDClassification Level C5 电源范围：2.2 V至36 V或±1.1 V至±18 V 低静态电流：每个比较器55μA 输入共模范围包括两个导轨 低延迟：560 ns 低输入失调电压：300 μV 开集电...
LMx39x和LM2901xx器件由四个的电压比较器组成，设计用于在宽电压范围内通过单个电源供电。只要两个电源之间的差值为2 V至36 V，并且V CC 比输入共模电压高至少1.5 V，也可以使用双电源供电。电流消耗与电源电压无关。输出可以连接到其他集电极开输出，以实现线°C的整个军用温度范围内工作。 LM239和LM239A器件的工作温度范围为-25°C至125°C。 LM339和LM339A器件的工作温度范围为0°C至70°C。 LM2901，LM2901AV和LM2901V器件的工作温度范围为-40°C至125°C。 特性 宽电源范围 单电源：2 V至36 V （非V测试为30 V）器件和 32 V用于V-Suffix器件） 双电源：±1 V至±18 V （非V器件测试至±15 V，±16）用于V-Suffix器件的V） 低电源电流漏极于电源电压：0.8 mA（典型值） 低输入偏置电流：25 nA（典型值） 低输入失调电流：3 nA（典型值）（LM139） 低输入失调电压：2 mV（典型值） 共模输入电压范围包括接地 差分输入电压范围等于最大额定电源电压：±36 V 低输出饱和电压 输出与TTL，MOS和CMOS兼容 在符合M...
TLV7031和TLV7041是单通道，低电压，纳瓦级功耗的比较器。这些器件采用0.8mm×0.8mm的超小型无引线封装，因此适用于空间受限的设计，例如智能手机，智能仪表和其它便携式或电池供电类应用。 TLV7031和TLV7041提供出色的速度与功耗综合性能，其延迟为3μs，静态电源电流为335nA。得益于纳瓦级功耗下的快速响应优势，功耗型系统能够监测故障状况并快速做出响应。比较器的工作电压范围为1.6V至6.5V，因此可与3V和5V系统兼容。 TLV7031和TLV7041还凭借过驱输入和内部磁滞来确保不会出现输出相位反转，因此工程师可以将此系列的比较器用于必须将慢速输入信号转换为数字输出的严严，嘈杂中进行精密电压监测。 TLV7031具有推挽式输出级，能够灌/拉毫安级电流，同时可对LED进行控制或驱动容性负载.TLV7041具有可上拉到V CC 之上的漏极开输出级，因此适用于电平转换器和双极至单端转换器。 特性 超小型X2SON封装（0.8mm×0.8mm×0.4mm） 微型5引脚SOT23和SC70封装 1.6V至6.5V的宽电源电压范围 335nA静态电源电流 3μs低延迟 轨道 5mV内部磁滞 推挽...
TLV6703高压比较器工作在1.8 V至18 V范围内。 TLV6703具有高精度比较器，内部400 mV基准电压源和开漏输出，额定电压为18 V，可实现精密电压检测。可以使用外部电阻设置电压。 当SENSE引脚电压低于（V IT - ）时，OUT引脚被驱动为低电平，并且变为高电平当电压返回到相应阈值以上时（V IT + ）。 TLV6703中的比较器具有内置的迟滞滤波功能，可以短暂的毛刺，从而确保稳定的输出操作，而不会发生错误触发。 TLV6703采用薄型SOT-23-6封装，并在结温范围内指定范围为-40°C至+ 125°C。 特性 宽电源电压范围：1.8 V至18 V 可调节阈值：低至400 mV
高阈值精度： 0.5％Max at 25°C 1.0％Max Over Temperature 低静态电流： 5.5μA（典型值） 漏极开输出 内部迟滞：5.5 mV（典型值） 温度范围：-40°C至+ 125°C 包装：薄SOT-23-6 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 比较器 Number of Channels (#) Output Type Vs (Min) (V) Vs (Max) (V) Propagation Delay Time (uS) Vos (Offset Voltage @ 25C)...
TLV6710是一款高电压窗口比较器，工作电压范围为1.8V至36V。该器件拥有两个内部基准电压为400mV的高精度比较器和两个额定电压为36V的开漏输出.TLV6710可以作为窗口比较器使用，也可以作为两个的比较器使用。可以使用外部电阻器设定电压。 当INA +上的电压下降至低于（V ITP - V HYS ）时，OUTA被驱动至低电平，当电压返回到相应阈值（V ITP ）之上时，OUTA变为高电平。当INB-上的电压上升至高于V ITP 时，OUTB被驱动至低电平，当电压下降至低于各自的阈值（V ITP - V HYS ）时，OUTB变为高电平.TLV6710中的两个比较器都具有内置迟滞来短时毛刺脉冲，确保稳定的输出运行，不会引起误触发。 TLV6710采用SOT-6封装，额定结温范围为-40°C至125°C。 特性 高电源电压范围：1.8V至36V 可调节阈值：低至400mV 高阈值精度： 0.75％（整个温度范围内） 低静态电流：7μA（典型值） 漏极开输出 内部滞后：5.5mV（典型值） 温度范围：-40°C至125°C 封装： SOT-6 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 比较器 ...
TLV7081是一款单通道纳米功率比较器，工作电压低至1.7 V.该比较器采用超小型WCSP封装，电压为0.7毫米×0.7毫米，使TLV7081适用于智能手机和其他便携式电池供电应用等空间关键设计。 TLV7081具有宽输入电压范围，与电源电压无关。具有输入范围即使TLV7081未上电，TLV7081也可以直接连接到有效的电源。 TLV7081有一个开漏输出级，可以拉到V +以上，这样就可以了用于电平转换器和双极到单端转换器。 特性 宽电源电压范围：1.7 V至5.5 V 静态电源电流370 nA 低延迟4μs 漏极开输出 内部迟滞：10 mV 温度范围：-40°C至+ 125°C
包装： 0.7 mm×0.7 mm WCSP（4） 所有商标均为他们各自的所有者。 参数 与其它产品相比 比较器 Number of Channels (#) Output Type Vs (Min) (V) Vs (Max) (V) Propagation Delay Time (uS) Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) Iq per channel (Typ) (mA) Input Bias Current (+/-) (Max) (nA) Rail-to-Rail Rating Operating Temperature Range (C) Features VICR...
LPV7215器件是一款超低功耗比较器，典型电源电流为580 nA。它具有TIs低功耗比较器中最佳的电源电流与延迟性能。传输延迟低至4.5μs，在1.8V电源下具有100mV过驱动。 设计用于在1.8V至5.5V的宽电源电压范围内工作，确保1.8的工作电压V，2.7 V和5 V，LPV7215非常适合用于各种电池供电的应用。采用轨到轨共模电压范围，LPV7215非常适合单电源供电。 LPV7215具有推挽输出级，可在运行时以最低功耗运行任何电容或电阻负载。 LPV7215提供多种节省空间的封装，是手持电子和移动电话应用的理想选择。 LPV7215采用TI先进的VIP50工艺制造。 特性 （对于V + = 1.8 V，典型值除非另有说明） Ultra-低功耗：580 nA 宽电源电压范围：1.8 V至5.5 V 延迟：4.5μs 推挽输出电流驱动5 V 19 mA 温度范围：-40°C至125°C 轨到轨输入 微型5引脚SOT-23和SC70包 参数 与其它产品相比 比较器 Number of Channels (#) Output Type Vs (Min) (V) Vs (Max) (V) Propagation Delay Time (uS) Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) Iq per channel (Typ) (mA...
LMV7231器件是1.5％精度的六角窗口比较器，可用于电源电压或任何其他模拟输出，如模拟温度传感器或电流检测放大器。该器件使用内部400 mV参考电压作为比较器跳变值。比较器设定点可通过外部电阻分压器设定。 LMV7231有6个输出（CO1至CO6），用于每个电源输入的欠压或过压事件。还提供输出（AO），以便在任何电源输入发生过压或欠压事件时发出信号。这种能够为各个电源输入发出欠压或过压事件的信号，以及在任何电源输入上发出此类事件信号的输出，增加了无与伦比的系统能力。 2.2- V至5.5V电源电压范围，低电源电流以及高于V +的输入或输出电压范围使LMV7231成为各种电源应用的理想选择。在-40°C至+ 125°C的温度范围内确保工作。该器件采用24引脚WQFN封装。 特性 （对于V S = 3.3 V±10％，典型情况除非另有说明） 欠压和过压检测 高精度电压基准：400 mV 阈值精度：±1.5％（最大值） 宽电源电压范围2.2 V至5.5 V 输入和输出电压范围高于V + 内部迟滞：6 mV 延迟：2.6μs至5.6μs
电源电流7.7μA/通道 24引脚WQFN封装 温度范围：40°C至+ 125°C 参数 与其它产品相比 比较...
TLV1702-Q1器件可提供宽电源电压范围，轨道到轨输入，低静态电流和低延迟。凭借符合行业标准且在极小型封装内集成的上述特性，此类器件成为当前市场中的最佳通用比较器。 集电极开输出具有能够输出拉至任意电压轨（最多可高出负电源36 V并且不受TLV1702-Q1电源电压影响的优势。 该器件是一款双通道微功耗比较器。低输入偏移电压，低输入偏置电流，低电源电流和集电极开配置使TLV1702-Q1器件能够灵活处理从简单电压检测到驱动单个继电器的多数应用。 该器件在-40°C至+ 125°C的扩展级工业温度范围内额定运行。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的运行温度范围 器件人体模型（HBM）分类等级1C 器件充电器件模型（CDM）分类等级C6 电源电压范围：2.2V至36V或±1.1V至±18V 低静态电流：每个比较器55μA 输入共模范围包括两个电源轨 低延迟：560ns 低输入偏移电压：300μV 集电极开输出： 最多可高出负电源电压36V且不受电源电压影响 工业温度范围：-40°C至+ 125°C
TLC3704由四个的微功率电压比较器组成，设计采用单电源供电，兼容现代HCMOS逻辑系统。它们在功能上与LM339类似，但在相似的响应时间内使用1/20的功率。推挽式CMOS输出级直接驱动容性负载，无需耗电的上拉电阻，即可实现的响应时间。消除上拉电阻不仅可以降低功耗，还可以节省电板空间和元件成本。输出级也完全兼容TTL要求。 仪器LinCMOS ??该工艺为标准CMOS工艺提供卓越的模拟性能。除了低功耗的标准CMOS优势，同时又不速度，高输入和低偏置电流，LinCMOS工艺提供极其稳定的输入失调电压和大差分输入电压。这种特性使得构建可靠的CMOS比较器成为可能。 TLC3704Q的工作温度范围为-40°C至125°C。 特性 符合汽车应用要求 ESD每MIL-STD-883超过2000 V，方法3015;使用机器型号超过50 V（C = 200 pF，R = 0） 推挽式CMOS输出驱动无上拉电阻的电容负载，I O =±8 mA 非常低的功率。 。 。 500 V典型值，5 V 快速响应时间。 。 。 t PLH =2.7μs（典型值为5 mV Overdrive） 单电源供电。 。 。 3 V至16 V 片上ESD LinCMOS是仪器...
TLV7256是一款CMOS型通用双比较器，能够实现单电源供电，并且使用比传统双极比较器更低的电源电流。其推挽输出可以直接连接到本地IC，如TTL和CMOS电。 特性 供电电流低。 。 .20μA型 单电源 轨到轨共模输入电压范围 推挽输出电 低输入偏置电流 应用 用于电池电压的电池组 MP3播放器，数码相机，PMP 手机， PDA，笔记本电脑 测试设备 通用低压应用
参数 与其它产品相比 比较器 Number of Channels (#) Output Type Vs (Min) (V) Vs (Max) (V) Propagation Delay Time (uS) Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) Iq per channel (Typ) (mA) Input Bias Current (+/-) (Max) (nA) Rail-to-Rail Rating Operating Temperature Range (C) Features VICR (Max) (V) VICR (Min) (V) Package Group var link = zh_CN_folder_p_quick_link_description_features_parametrics; com.TI.Product.handleQuickLinks(parametric,参数变化,#parametrics,link); TLV7256 ...
TLV3201-Q1和TLV3202-Q1分别属于单通道和双通道比较器，它们实现了高速度（40ns）与低功耗（40μA）的完美组合，两者采用极小型封装，具有轨至轨输入，低偏移电压（1mV）和大输出驱动电流等特性。这些器件还很容易在响应时间至关重要的多种应用中实施。 TLV320x-Q1系列可提供单通道（TLV3201-Q1）和双通道（TLV3202-Q1）版本，这两个版本的器件都带有推挽输出.TLV3201-Q1采用5引脚SC70封装.TLV3202-Q1采用8引脚VSSOP封装。所有器件可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内运行。 特性 符合汽车应用标准 具有符合AEC Q100的下列结果： 器件温度等级1 ：工作温度范围为-40°C至+ 125°C 器件HBM ESD分类等级2（TLV3201-Q1） 器件HBM ESD分类等级3A（TLV3202-Q1 ） 器件CDM ESD分类等级C5 低延迟：40ns 低静态电流：每通道40μA 输入共模扩展范围扩展到任一电源轨之上200mV 低输入偏移电压：1mV 推挽输出 电源范围：2.7V至5.5V 小型封装： 5引脚SC70和8引脚VSSOP 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 比较器 Numb...
TLV6700是一个工作电压范围为1.8V至18V的高电压窗口比较器。该器件拥有两个内部基准电压为400mV的高精度比较器和两个额定电压为18V的开漏输出.TLV6700可以作为窗口比较器使用，也可以作为两个的比较器使用。可以使用外部电阻器设定电压。 当INA +上的电压下降至低于（V ITP - V HYS ）时，OUTA被驱动至低电平，当电压返回到相应阈值（V ITP ）之上时，OUTA变为高电平。当INB-上的电压上升至高于V ITP 时，OUTB被驱动至低电平，当电压下降至低于相应阈值（V ITP - V HYS ）时，OUTB变为高电平.TLV6700中的两个比较器都具有用于短时毛刺脉冲的内置迟滞，从而确保稳定的输出运行，不会引起误触发。 TLV6700采用超薄SOT-23-6封装，额定结温范围为-40°C至125°C。
特性 宽电源电压范围：1.8V至18V 可调节阈值：低至400mV 高阈值精度： 最高0.5％（25°C） 在工作温度范围内最高1.0％ 低静态电流：5.5μA（典型值） 漏极开输出 内部滞后：5.5mV（典型值） 温度范围：-40°C至125°C 封装：超薄SOT-23-6 所有商标均为其各自所有者的财...
LMV7239-Q1 具有漏极开/推挽式输出的 75 nsec、超低功耗、低压、轨到轨输入比较器
LMV7239-Q1是75ns超低功耗低压比较器。此器件可在2.7V至5.5V的完整电源电压范围内正常运行。器件可实现75ns的延迟，而在5V电压下仅消耗65μA的电源电流。 LMV7239-Q1具有更大的轨至轨共模电压范围。输入共模电压范围可基于地电压向下扩展200mV并基于电源电压向上扩展200mV，从而允许接地和电源。 LMV7239-Q1具有推挽式输出级。凭借此特性，器件无需外部上拉电阻器即可运行。 LMV7239-Q1采用5引脚SC70和5引脚SOT-23封装，因此非常适合需要小尺寸和低功耗特性的系统。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40°C至125°C的工作温度范围 器件人体模型（HBM）静电放电（ESD）分类等级1C 器件CDM ESD分类等级C5 （DBV封装） V S = 5V，T A = 25°C（典型值，除非另有说明） 延迟：75ns 低电源电流：65μA 轨至轨输入 开漏和推挽输出 非常适合2.7V和5V单电源应用 采用节省空间的封装： 5引脚SOT-23 5引脚SC70 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 比较器 Number of Channels (#) ...
全书一共 20 章，从第 1 章到第 18 章以实验为载体，从单片机最小系统和 C 语言基本语法开始....
对两个或多个数据项进行比较，以确定它们是否相等，或确定它们之间的大小关系及排列顺序称为比较。 能够实....
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