在可控硅整流电的交流输人端、直流输出端及元件上都接有RC吸收网络或硒堆等过电压,因为可控硅的耐受过电压的能力较差。而在交流侧及直流侧会经常产生一些过电压,如电网操作过电压、雷击过电压、直流侧电感负载电流突变时过电压、熔断器熔断引起过电压和可控硅换向时过电压等,都有可能导致元件损坏或性能下降。所以要采取过电压措施。

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